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Intel/美光25nm工艺晶圆厂一日游[23p]

上周末，[url=http://news.mydrivers.com/1/155/155568.htm][color=#0000ff]Intel、美光合资闪存制造企业IM Flash Technologies, LLC(IMFT)宣布已经开始试制25bn工艺NAND闪存芯片[/color][/url]。除了纸面宣布外，他们实际上还邀请了多家媒体到IMFT位于美国犹他州Lehi的25nm工艺晶圆厂进行参观。
[align=center][url=http://news.mydrivers.com/Img/20100204/09595076.jpg][img=550,308]http://news.mydrivers.com/Img/20100204/S09595076.jpg[/img][/url][/align][align=center]
位于雪山脚下的IMFT工厂[/align][align=center][url=http://news.mydrivers.com/Img/20100204/10000621.jpg][img]http://news.mydrivers.com/Img/20100204/S10000621.jpg[/img][/url][/align][align=center]
工厂结构，制造半导体产品最关键的无尘室位于第三层，加压吊顶形成由上向下的气流，设备维护工作则在二层的“SubFab”层完成。[/align][align=center][img=550,317]http://news.mydrivers.com/Img/20100204/10004058.jpg[/img][/align][align=center]
进入无尘室之前的“打包”过程。（由于无尘室内部的严格要求，实际上以下内部照片均来自IMFT官方）[/align][align=center][img=450,608]http://news.mydrivers.com/Img/20100204/10005267.jpg[/img][/align]
晶圆厂内走廊，顶端的自动运输系统（AMHS）正在以每小时13公里的速度将晶圆在各个制造环节间运输，24小时不停歇。每个运载器都搭载了一个FOUP（前端开口片盒），其中可装载最多25片300mm晶圆。
[align=center][url=http://news.mydrivers.com/Img/20100204/10010111.jpg][img=550,366]http://news.mydrivers.com/Img/20100204/S10010111.jpg[/img][/url][/align][align=center]
厂内地面全部打孔，保证空气从上向下流通，将落尘可能减到最小。[/align][align=center][url=http://news.mydrivers.com/Img/20100204/10012340.jpg][img=550,366]http://news.mydrivers.com/Img/20100204/S10012340.jpg[/img][/url][/align][align=center]
FOUP片盒挂接在一个制造阶段设备上，后面的那个正在被AMHS吊起。[/align][align=center][img]http://news.mydrivers.com/Img/20100204/10015248.jpg[/img][/align]

[align=center][img]http://news.mydrivers.com/Img/20100204/10015251.jpg[/img][/align][align=center]
几乎所有制造过程均为自动完成，因此厂内大部分工人的工作就是保证这些设备正常运行。[/align]




[align=center][img=550,367]http://news.mydrivers.com/Img/20100204/10020427.jpg[/img][/align][align=center]
化学机械抛光（CMP）车间[/align][align=center][url=http://news.mydrivers.com/Img/20100204/10021546.jpg][img=550,366]http://news.mydrivers.com/Img/20100204/S10021546.jpg[/img][/url][/align][align=center]
照明受限的光刻车间[/align][align=center][url=http://news.mydrivers.com/Img/20100204/10022933.jpg][img=550,366]http://news.mydrivers.com/Img/20100204/S10022933.jpg[/img][/url][/align][align=center]
一块光刻掩膜，光刻过程简单的说就是将这块掩膜上图案“缩印”到晶圆上。[/align][align=center][url=http://news.mydrivers.com/Img/20100204/10024105.jpg][img=550,346]http://news.mydrivers.com/Img/20100204/S10024105.jpg[/img][/url][/align][align=center]
光刻过程中的“校准”[/align][align=center][img=550,367]http://news.mydrivers.com/Img/20100204/10025177.jpg[/img][/align][align=center]
实时缺陷监测（RDA）[/align][align=center][img=550,367]http://news.mydrivers.com/Img/20100204/10030205.jpg[/img][/align][align=center]
FOUP片盒中的300mm晶圆[/align][align=center][url=http://news.mydrivers.com/Img/20100204/10031288.jpg][img=550,412]http://news.mydrivers.com/Img/20100204/S10031288.jpg[/img][/url][/align][align=center]
PCper记者手持一片25nm工艺300mm晶圆，总容量超过2TB。[/align]





[align=center][url=http://news.mydrivers.com/Img/20100204/10032933.jpg][img]http://news.mydrivers.com/Img/20100204/S10032933.jpg[/img][/url][/align]

[align=center][url=http://news.mydrivers.com/Img/20100204/10032944.jpg][img]http://news.mydrivers.com/Img/20100204/S10032944.jpg[/img][/url][/align]
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300mm晶圆[/align][align=center][img=550,357]http://news.mydrivers.com/Img/20100204/10034216.jpg[/img][/align]
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每片闪存颗粒die容量为8GB（每格2GB），面积167平方毫米。[/align][align=center][img]http://news.mydrivers.com/Img/20100204/10035137.jpg[/img][/align]
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Intel副总裁，NAND闪存业务总经理Tom Rampone手持25nm颗粒[/align][align=center][url=http://news.mydrivers.com/Img/20100204/10040598.jpg][img=550,373]http://news.mydrivers.com/Img/20100204/S10040598.jpg[/img][/url][/align]

[align=center][img=550,247]http://news.mydrivers.com/Img/20100204/10041507.jpg[/img][/align]
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尺寸对比[/align][align=center][url=http://news.mydrivers.com/Img/20100204/10043024.jpg][img=550,275]http://news.mydrivers.com/Img/20100204/S10043024.jpg[/img][/url][/align]


[align=left]从左到右分别是：[/align]
2003年[b]130nm[/b]工艺128MB，2005年[b]90nm[/b]工艺512MB，2007年[b]50nm[/b]工艺1GB，2009年[b]34nm[/b]工艺4GB以及现在的[b]25nm[/b]工艺8GB闪存。最右侧是标准的TSOP闪存封装尺寸。
使用25nm工艺闪存，只需要单die芯片即可造出Class 10级SD卡。Intel计划，今年将基于该闪存造出最大600GB的固态硬盘，而美光甚至计划最大推出1TB SSD。
[align=center][img=550,358]http://news.mydrivers.com/Img/20100204/10494886.jpg[/img][/align]

半导体的发展速度真是太快了!到了后期还能延续摩尔定律的神话吗?

刚刚才32NM,那么快就25NM了,进步得实在太快了,我连45NM都没用上

INTEL这种高科技看起来真实眼花缭乱，太赞了

2012年的时候能实现10NM么？
可怜的我还在用着65NM的技术

无尘加工环境，微晶技术苛刻的研发环境才能出好东西。

我还在用着130nm技术的计算机呢，存储的容量现在其实已经够大的了，现在数据的安全性也很重要

超级现代化工厂的典范，这样的工厂造价非常的高昂。不过在这样的工厂上班应该不错吧。

这地方不是说不给拍照片的吗
楼主这些照片应该是很久以前的

看来固态硬盘的价格大规模走低已经不远了，不过虽然不怕磕碰，但是固态硬盘的读写次数寿命还是没有传统硬盘好，这个才是致命的问题，谁能解决，谁就是以后存储的老大。